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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 2.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW20N60T

Herst.- Nr.:

IKW20N60T

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Datenblatt:

IKW20N60T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.91 CHF	19.10 CHF
	1.50 CHF	150.00 CHF
	1.24 CHF	595.20 CHF
	1.21 CHF	1 452.00 CHF

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IKW20N60TFKSA1

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3.50 CHF

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IKW20N60TFKSA1

Beschreibung:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	41 A
Pd - Verlustleistung:	166 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT3
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	MY
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
Gewicht pro Stück:	38 g

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ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.