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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 6.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4PS

Herst.- Nr.:

TP65H070G4PS

Herst.:

Renesas Electronics

Datenblatt:

ECAD Model:

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	3.44 CHF	34.40 CHF
	3.15 CHF	315.00 CHF
	2.66 CHF	1 330.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2.60 CHF	2 600.00 CHF

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	7.2 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43.4 ns