PMZB350UPE 20V P-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP PMZB350UPE 20V P-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen DFN1006B-3 (SOT883B) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Das Bauteil arbeitet mit Trench-MOSFET-Technologie, hat eine niedrige Schwellspannung, ermöglicht sehr schnelles Schalten und bietet 1.8kV ESD-Schutz. Der PMZB350UPE MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
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