P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-Ch -20Vds 10Vgs FET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 39 mOhms - 10 V, 10 V 900 mV 8.58 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 130 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6.7 nC - 55 C + 155 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 8 000
Si SMD/SMT P-Channel 20 V 660 mA 450 mOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 300 mW Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs DUAL P-CHANNEL MOSFET, DFN1010B-6 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 520 mA 2 Ohms - 10 V, 10 V 1.2 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 830 mW Enhancement Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 30 000
Mult.: 30 000
Rolle: 30 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 15 000
Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 4.27 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-Ch -20Vds Enh FET 2W -5.4A 10Vgs -3.0A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 900 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-Ch -30Vds 20Vgs 1.6W -4.1A 120pF Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.1 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23-3L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 30 000
Mult.: 30 000
Rolle: 30 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel