FGH60T65SQD-F155

onsemi
863-FGH60T65SQD-F155
FGH60T65SQD-F155

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
333 W
- 55 C
+ 175 C
FGH60T65SQD-F155
Tube
Marke: onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 8,233 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Tschechische Republik
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FGH60T65SQD-F155 IGBTs

Die FGH60T65SQD-F155 IGBTs von onsemi verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie. Die FGH60T65SQD-F155 von onsemi sind IGBTs der 4. Generation, die eine optimale Leistung für Solarwechselrichter-, USV-, Schweiß-, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Applikationen bieten. Die IGBTs können verwendet werden, wenn niedrige Leitungs- und Schaltverluste erforderlich sind.