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DMN52D0UVA-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0UVA-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0UVA-7
Price: 0.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN52D0UVA-7

Herst.- Nr.:

DMN52D0UVA-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

Datenblatt:

DMN52D0UVA-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.333 CHF	0.33 CHF
	0.207 CHF	2.07 CHF
	0.13 CHF	13.00 CHF
	0.097 CHF	48.50 CHF
	0.087 CHF	87.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.072 CHF	216.00 CHF
	0.065 CHF	390.00 CHF
	0.055 CHF	495.00 CHF
	0.053 CHF	1 272.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT563-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	480 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	490 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	38.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.3 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.05 ns

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Datenblatt

DMN52D0UVA-7 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMN52D0UVA N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

Der DMN52D0UVA N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus von Diodes Incorporated ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der zur Minimierung von R_{DS (ON)} und zur Aufrechterhaltung einer beeindruckenden Schaltleistung entwickelt wurde. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Eingangskapazität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit, eine geringe Eingangs-/Ausgangskriechverlust und ein sehr kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage aus. Der DMN52D0UVA MOSFET ist ESD-geschützt, bleifrei, RoHS-konform sowie halogen- und antimonfrei. Dieser MOSFET bietet eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Anwendungen sind Batteriemanagementsysteme, Leistungsmanagementfunktionen und Lastschalter.