N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH™-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3