NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs
NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind Hochleistungs-MOSFETs, die für effiziente Schaltapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs von onsemi sind in einem kompakten SC-88-Gehäuse (SOT-363) mit den Abmessungen 2 mm x 2 mm untergebracht und bieten einen niedrigen RDS(on) von nur 45 mΩ bei -4,5 V. Dies ermöglicht reduzierte Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Mit einem maximalen Drainstrom von -3,3 A und einer Drain-Source-Nennspannung von -12 V eignen sich die NxJS3151P-Bauteile gut für Lastschaltungen in tragbaren und batteriebetriebenen Geräten. Die extrem niedrige Gate-Ladung und schnellen Schalteigenschaften tragen zu einer verbesserten Energieeffizienz bei, wodurch die NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi ideal für platzbeschränkte Designs sind, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.
