1.200 V E4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V E4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in On-Board-Fahrzeuganwendungen. Die E4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und so den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die E4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur E3M-Produktfamilie verbesserte Eon-, ERR- und Eoff-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an On-Board-Topologien hinweg.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Datenblatt
450erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101