FFSH1265BDN-F085

onsemi
863-FFSH1265BDN-F085
FFSH1265BDN-F085

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650V 12A SIC SBD GEN1.5

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Single
12 A
650 V
1.38 V
24 A
25 nA
- 55 C
+ 175 C
FFSH1265BDN-F085
AEC-Q101
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 52 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 650 V
Gewicht pro Stück: 12,091 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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FFSH1265BDN-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die FFSH1265BDN-F085 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 12 A von onsemi verwenden eine Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die FFSH1265BDN-F085 SiC-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über temperaturunabhängige Schalteigenschaften sowie eine hervorragende thermische Leistung. Weitere Vorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Die FFSH1265BDN-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden mit 12 A sind in einem TO-247-3LD-Gehäuse erhältlich.

D2 EliteSiC-Dioden

onsemi D2 EliteSiC-Dioden sind eine Reihe von Hochleistungs-Dioden, die für Applikationen ausgelegt sind, die eine Nennspannung von 650 V erfordern. Der D2 von onsemi ist in verschiedenen Gehäusen erhältlich, einschließlich DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 und TO-247-3. Diese Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung (QC) und sind für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen mit niedriger Durchlassspannung optimiert. Diese Eigenschaften machen die Dioden ideal für Blindleistungskompensation (PFC) und Ausgangsgleichrichtungs-Applikationen.

650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.

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