STD65N160M9

STMicroelectronics
511-STD65N160M9
STD65N160M9

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
160 mOhms
30 V
4.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
106 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Tempo di caduta: 7 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 4 ns
Serie: MDmesh M9
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 330 mg
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Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate.  Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.

MOSFET di potenza a canale N STD65N160M9

Il MOSFET di potenza a canale N STD65N160M9 di STMicroelectronics è basato sulla tecnologia a supergiunzione MDmesh M9. Il MOSFET è adatto per una tensione media/alta con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 basata sul silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drain, che consente di migliorare la struttura del dispositivo. In questo modo, il prodotto offre una resistenza in conduzione e valori di carica del gate più bassi tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione e commutazione rapida basati sul silicio. Ciò lo rende particolarmente adatto per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore ed efficienza eccezionale.

A magazzino: 243

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Prezzo esteso:
-.-- CHF
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Prezzi (CHF)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
3.14 CHF 3.14 CHF
1.59 CHF 15.90 CHF
1.44 CHF 144.00 CHF
1.18 CHF 590.00 CHF
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
1.11 CHF 2 775.00 CHF
† La commissione 7.00 CHF MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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