60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel