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SIHFPS37N50A-GE3

Name: Vishay SIHFPS37N50A-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHFPS37N50A-GE3
Price: 6.4 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHFPS37N50A-GE3

Herst.- Nr.:

SIHFPS37N50A-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs SPR247 500V 36A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SIHFPS37N50A-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	Super-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	180 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	446 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IL
Abfallzeit:	80 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	98 ns
Serie:	SIHFPS
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

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ECCN:: EAR99

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Der SIHFPS Super-247 Leistungs-MOSFET von Vishay/Siliconix bietet ein verbessertes Gate mit einer Avalanche- und dynamischen dV/dt-Robustheit. Avalanche-Spannung und -Strom und die Kapazität sind umfassend charakterisiert. Die SIHFPS Super-247 Leistungs-MOSFETsverfügen über eine verbesserte dV/dt-Belastbarkeit der Body-Diode und eignen sich hervorragend für Hochgeschwindigkeits- und hartschaltende Applikationen.