MMBT3906 RFG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3906RFG
MMBT3906 RFG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Single
200 mA
40 V
40 V
5 V
400 mV
350 mW
250 MHz
- 55 C
+ 150 C
MMBT390
Reel
Cut Tape
Marke: Taiwan Semiconductor
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: MMBT3906
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CNHTS:
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ECCN:
EAR99

MMBT3906 PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906 PNP Bipolar Transistor is designed to achieve low power loss and high surge current capability. This transistor delivers high efficiency and is ideal for automated placement. The MMBT3906 transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (VCBO), -40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and -5V of emitter-to-base voltage (VEBO). This transistor features a collector current of -200mA and a power dissipation (PD) of 350mW. The MMBT3906 PNP transistor offers a Moisture Sensitivity Level (MSL-1) as per the J-STD-020 standards and is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards. Ideally, this transistor is used in Switching Mode Power Supply (SMPS), adapters, on-board DC/DC converters, and lighting applications.