FGH50T65UPD

onsemi
512-FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 650 V 100 A 240 W

Lebenszyklus:
NRND:
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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
100 A
340 W
- 55 C
+ 175 C
FGH50T65UPD
Tube
Marke: onsemi
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: CZ
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6,390 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99