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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 0.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV8406DD1CR2G

Herst.- Nr.:

NCV8406DD1CR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE SMARTFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

ECAD Model:

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	0.97 CHF	0.97 CHF
	0.64 CHF	6.40 CHF
	0.529 CHF	52.90 CHF
	0.509 CHF	254.50 CHF
	0.491 CHF	491.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.479 CHF	1 197.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	210 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	692 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1600 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	127 ns

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Datenblatt

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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