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APS6408L-3OC-BA

Name: AP Memory Technology APS6408L-3OC-BA
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS6408L-3OC-BA
Price: 1.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

878-APS6408L-3OC-BA

Herst.- Nr.:

APS6408L-3OC-BA

Herst.:

AP Memory

Beschreibung:

DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)

Datenblatt:

APS6408L-3OC-BA Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	AP Memory Technology
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	BGA-24
Organisation:	8 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Verpackung:	Tray
Marke:	AP Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	4800
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

APS6408L-3OC-BA Datenblatt

Certificate of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

APS6408L-3OC-BA DDR Octal SPI PSRAM

AP Memory APS6408L-3OC-BA Double Data Rate (DDR) Octal SPI PSRAM is designed with auto temperature-compensated self-refresh by the built-in temperature sensor and partial array self-refresh. This octal PSRAM features software reset, reset pin, and an ultra-low power half-sleep mode with data retention. The APS6408L-3OC-BA PSRAM offers a clock rate of up to 133MHz 266Mb/s read/write throughput operating within a 2.7V to 3.6V (V_DD) single supply voltage range. This octal PSRAM holds 64MB in capacity and is organized in an 8M x 8-bit configuration. It utilizes a page size of 1024 bytes, and the column addresses range from AY0 to AY9, while row addresses span from AX0 to AX12.