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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFETs in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
Datenblatt
1 400Auf Lager
4 000erwartet ab 06.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 443 A 520 uOhms 20 V 3.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFETs in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
Datenblatt
2 800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 339 A 650 uOhms 20 V 3.2 V 81 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFETs in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
Datenblatt
2 800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 289 A 820 uOhms 20 V 3.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
4 636Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
3 692Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
3 447Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
4 133Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
4 301Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
Datenblatt
3 115Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
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31Auf Lager
10 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape