Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Isolierungsspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
2 524Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
802Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray