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NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 166.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-600B100H4Q2F2S1G

Herst.- Nr.:

NXH600B100H4Q2F2S1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBT-Module FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Datenblatt:

NXH600B100H4Q2F2S1G Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	Si/SiC Hybrid Modules
Konfiguration:	Triple
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.88 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	173 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	350 nA
Pd - Verlustleistung:	422 W
Verpackung/Gehäuse:	PIM-56
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CZ
Ursprungsland:	CN
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Verpackung ab Werk:	36
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	SiC, Si
Handelsname:	EliteSiC

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Datenblatt

NXH600B100H4Q2F2S1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul

Das onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul ist ein Dreikanal-Aufwärtsmodul mit fliegendem Kondensator. Jeder Kanal enthält zwei 1000 V, 200 A IGBTs und zwei 1200 V, 60 A SiC-Dioden. Das Modul enthält auch einen NTC-Thermistor. Zu den Applikationen gehören Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.