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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
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Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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797Auf Lager
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1 226Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1 320Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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335Auf Lager
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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815Auf Lager
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Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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571Auf Lager
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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702Auf Lager
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: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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826Auf Lager
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: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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382Auf Lager
1 000erwartet ab 28.05.2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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784Auf Lager
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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180Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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60Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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151Auf Lager
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 500
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube