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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Torex Semiconductor MOSFETs N-channel MOSFET 100V, 9.4mohm, 59A
Datenblatt
2 990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59.2 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Torex Semiconductor MOSFETs N-channel MOSFET 100V, 4.4mohm, 122A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 51 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 122 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape