EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Lebenszyklus:
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EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 31,300 mg
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