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TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 7.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H050G4YS

Herst.- Nr.:

TP65H050G4YS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Datenblatt:

TP65H050G4YS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	132 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Cascode
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1200
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

TP65H050G4YS Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650 V SuperGaN^® FET ist ein 50 mΩ Galliumnitrid (GaN) normalerweise ausgeschaltetes Bauelement, erhältlich in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse. Dieses SuperGaN FET der Generation IV verwendet eine Plattform der Generation IV, die fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien unterstützt, um die Fertigung zu vereinfachen. Der 650 V FET TP65H050G4YS kombiniert einen hochmodernen Hochspannungs-GaN-HEMT mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET für überragende Zuverlässigkeit und Leistung. Dieser SuperGaN-FET verbessert den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlusten, und Sperrverzögerungsladung. Zu den typischen Applikationen zählen Anwendungen in der Datenkommunikation, verschiedenste industrielle Anwendungen, PV-Wechselrichter und Servomotoren.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.