Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVTYS020N08HLTWG

Herst.- Nr.:

NVTYS020N08HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVTYS020N08HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVTYS020N08HLTWG

Auf Lager: 220

Lagerbestand:: 220 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.30 CHF	1.30 CHF
	1.15 CHF	11.50 CHF
	0.761 CHF	76.10 CHF
	0.524 CHF	262.00 CHF
	0.468 CHF	468.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.318 CHF	954.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	5.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	35 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24.3 mOhms
Serie:	NVTYS020N08HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.8 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVTYS020N08HLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 80 V, 20 mΩ und 30 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen.