QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

Die eingangsangepassten GaN-Transistoren der Baureihe QPD1004A von Qorvo sind Galliumnitrid-auf-Siliciumcarbid-High-Electron-Mobility-Transistoren (GaN-on-SiC-HEMT) mit 25 W (P3dB), 50-Ω-Eingangsanpassung, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz bei 50 V Versorgungsspannung betrieben werden. Ein integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk ermöglicht eine breitbandige Verstärkung- und Leistungsfähigkeit, während der Ausgang on-board angepasst werden kann, um die Leistung und den Wirkungsgrad für jeden Bereich innerhalb des Frequenzbereichs zu optimieren. Die Transistoren der Baureihe QPD1004A von Qorvo eignen sich ideal für Basisstationen, Radar- und Kommunikationsapplikationen und unterstützen sowohl CW- als auch gepulste Betriebsmodi. Diese Bauteile sind in einem branchenüblichen oberflächenmontierten DFN-Gehäuse von 6 mm x 5 mm x 0,85 mm untergebracht.