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Hochdichte SiC-Leistungsmodule
Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.
