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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.87 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIA427DJ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA427DJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Datenblatt:

SIA427DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.875 CHF	0.88 CHF
	0.625 CHF	6.25 CHF
	0.389 CHF	38.90 CHF
	0.268 CHF	134.00 CHF
	0.238 CHF	238.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.203 CHF	609.00 CHF
	0.173 CHF	1 038.00 CHF
	0.161 CHF	1 449.00 CHF
	0.145 CHF	3 480.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SIA427DJ-GE3
Gewicht pro Stück:	11,688 g

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Datenblatt

SIA427DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET Leistungs-MOSFETs

Vishay Siliconix SiA427DJ 8V TrenchFET® Leistungs-MOSFETs haben den niedrigsten On-Widerstand für ein p-Kanal-Gerät in einem thermisch erweiterten PowerPAK® SC-70 mit 2mm mal 2mm Auflagefläche. Der On-Widerstand des Vishay Siliconix Si427DJ ist bis zu 47% niedriger als bei den konkurrenzfähigsten p-Kanal-Geräten. Das 1,2V niedrige On-Widerstand-Rate der SiA427DJ TrenchFET Leistungs-MOSFETs macht sie zur idealen Wahl für niedrige Bus-Spannungen. Anwendungen, die einen 1,2V Leistungs-Bus verwenden, profitieren ebenfalls vom niedrigen On-Widerstand der MOSFETs bei 1,5V und 1,8V, wenn Hauptspannungen schwanken und ermöglichen dem SiA427DJ die insgesamt beste Stromeinsparung zu liefern. Das extrem kleine PowerPAK SC-70-Gehäuse des Vishay Siliconix SiA427DJ wurde für kleine elektronische Handgeräte optimiert. Es ist ideal für Lastschalter in Mobiltelefone, Smartphones, MP3-Playern, Digitalkameras usw.