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SIC653ACD-T1-GE3

Name: Vishay SIC653ACD-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIC653ACD-T1-GE3
Price: 1.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC653ACD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIC653ACD-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Schaltspannungsregler 50A VPOWER INTGRATED POWER STAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.74 CHF	1.74 CHF
	1.29 CHF	12.90 CHF
	1.18 CHF	29.50 CHF
	1.05 CHF	105.00 CHF
	0.996 CHF	249.00 CHF
	0.959 CHF	479.50 CHF
	0.94 CHF	940.00 CHF
	0.912 CHF	2 736.00 CHF
	0.888 CHF	5 328.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Schaltspannungsregler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLP55-31
Struktur:	Buck
Ausgangsstrom:	50 A
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Eingangsspannung – Min:	4.5 V
Eingangsspannung – Max:	24 V
Schaltfrequenz:	1.5 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	SIC
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Eingangsspannung:	4.5 V to 24 V
Produkt-Typ:	Switching Voltage Regulators
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Typ:	Integrated Power Stage

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SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

SiC653A 50 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC653A 50 A VRPower^® von Vishay Semiconductors für synchron geregelte Abwärtswandleranwendungen ausgelegt und bietet eine hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte. Die SiC653A von Vishay Semiconductors ist in einem kompakten MLP-Gehäuse von 5 mm x 5 mm untergebracht und ermöglicht es Spannungsreglern, bis zu 50 A Dauerstrom pro Phase zu liefern. Dank der fortschrittlichen Gen IV TrenchFET-MOSFET-Technologie von Vishay minimiert die SiC653A die internen Schalt- und Leitungsverluste und bietet so eine branchenführende Leistung. Ihr fortschrittlicher Gate-Treiber-IC verfügt über eine hohe Ansteuerungsstromfähigkeit, adaptive Totzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode, ein thermisches Warnsignal (THWn) zur Temperaturüberwachung und eine Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Der Treiber unterstützt Tri-State PWM-, 3,3 V- und 5 V-Logikschaltung und ist mit verschiedenen PWM-Controllern kompatibel.