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CY7C1041GN30-10ZSXI

Name: Infineon CY7C1041GN30-10ZSXI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY7C1041GN30ZSXI
Price: 5.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-CY7C1041GN30ZSXI

Herst.- Nr.:

CY7C1041GN30-10ZSXI

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SRAM ASYNC

Datenblatt:

CY7C1041GN30-10ZSXI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5.37 CHF	5.37 CHF
	4.89 CHF	48.90 CHF
	4.49 CHF	112.25 CHF
	4.39 CHF	219.50 CHF
	4.27 CHF	427.00 CHF
	4.16 CHF	1 040.00 CHF
	4.06 CHF	2 030.00 CHF
	3.99 CHF	3 990.00 CHF
	3.60 CHF	9 720.00 CHF

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CY7C1041GN30-10ZSXIT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

5.26 CHF

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	256 k x 16
Zugangszeit:	10 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.2 V
Versorgungsstrom - Max.:	45 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-44
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Speichertyp:	Volatile
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	1350
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous
Gewicht pro Stück:	453,250 mg

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Datenblatt

CY7C1041GN30-10ZSXI Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CY7C1041GN30-10ZSXI Statischer RAM

Der Cypress Semiconductor CY7C1041GN30-10ZSXI statische RAM ist ein schneller statischer Hochleistungs-4Mbit-CMOS-RAM mit einer Organisation von 256K Wörter x 16 bit. Der CY7C1041GN30-10ZSXI bietet Daten-Schreibvorgänge, die durch das Aktivieren der Chip-Freigabe und Schreib-Freigabe-Eingänge durchgeführt werden. Der CY7C1041GN30-10ZSXI verfügt über einen niedrigen aktiven Strom von 38mA und einen Standby-Strom von 6mA mit einem Betriebsspannungsbereich von 1,65V bis 2,2V, 2,2V bis 3,6V und 4,5V bis 5,5V. Der statische RAM hat eine Betriebstemperatur von -40°C bis + 85°C.