CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
Mehr erfahren

Ergebnisse: 109
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube