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SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 1.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISD5300DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISD5300DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A

Datenblatt:

SISD5300DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 1212-F-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	198 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	870 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	57 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	162 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	90 ns
Serie:	SISD
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

SISD5300DN-T1-GE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET

Der SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET von Vishay / Siliconix ist ein TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET, der die Source-Flip-Technologie verwendet, welche die thermische Leistung verbessert. Der SiSD5300DN wird in einem Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und verfügt über einen sehr niedrigen Drain-Source-Widerstand und eine Gate-Ladungs-Gütezahl (FOM). Zu den Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Batteriemanagement, O-Ringe und Lastschalter.

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.