RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Die 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs RH7G04 von ROHM Semiconductor sind MOSFETs im Automobilstandard mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±40 A, die nach AEC-Q101 zugelassen sind. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] und sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse erhältlich. Die MOSFETs RH7G04 von ROHM Semiconductor eignen sich ideal für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.
