NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verwenden die leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für einen extrem niedrigen RDS(on). Diese Einkanal-MOSFETs von onsemi bieten ein geringes Schaltrauschen/EMI und ein vollständig UIL-getestetes robustes MSL1-Gehäusedesign. Die NTTFSxD1N0xHL MOSFETs sind in einem bleifreien, halogenfreien/BFR-freien und RoHs-konformen WDFN8-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Abwärtswandler, Punktlast, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, O-Ring-FETs, DC/DC-Netzteile und synchrone MV-Abwärtswandler.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm 2 230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm 7 022Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm 5 910Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel