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SCT2H12NWBTL1

Name: ROHM Semiconductor SCT2H12NWBTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT2H12NWBTL1
Price: 4.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT2H12NWBTL1

Herst.- Nr.:

SCT2H12NWBTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 1.7KV N-CH 3.9A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCT2H12NWBTL1 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	4.73 CHF	4.73 CHF
	3.16 CHF	31.60 CHF
	2.27 CHF	227.00 CHF
	1.93 CHF	965.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	1.93 CHF	1 544.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263CA-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	3.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V to + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.4 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	N-channel SiC power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

SCT2H12NWBTL1 Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET SCT2H12NWB von ROHM Semiconductor ist ein Gerät, das mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (V_DSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (I_D) bewertet ist. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand [R_DS(ON)] für das Gerät beträgt 1,15 mΩ (typ.) (V_GS = 18 V, I_D = 1,1 A, T_vj = +25 °C). Es wird in einem 15,5 mm x 10,2 mm TO-263CA (TSMT3)-Gehäuse geliefert. Dieses Gerät bietet eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine weite Kriechstrecke und ist einfach zu steuern. Der SCT2H12NWB MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für Hilfs- und Schaltnetzteilapplikationen.