CGHV600 6GHz GaN HEMT

Die Cree CGHV600 6GHz Galliumnitrid- (GaN) High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) liefern im Vergleich zu Silizium- (Si) oder Galliumarsenid- (GaAs) Transistoren eine überlegene Leistung. Die CGHV600 GaN HEMT bieten höhere Durchlassspannung, höhere gesättigte Elektronendriftgeschwindigkeit und höhere Wärmeleitfähigkeit. Diese Transistoren bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten. Die Bauteile der CGHV600-Serie eignen sich ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Mobilfunk-Infrastruktur und Verstärker der Klasse A, AB sowie Linearverstärker.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Pd - Verlustleistung
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W