AFGBG70T65SQDC

onsemi
863-AFGBG70T65SQDC
AFGBG70T65SQDC

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
SiC
D2PAK-7
SMD/SMT
Single
1.54 V
20 V
75 A
617 W
- 55 C
+ 175 C
AFGBG70T65SQDC
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.: 70 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

Der AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-Hochgeschwindigkeits-IGBT von onsemi verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und die SiC-Schottky-Dioden-Technologie der Generation 1.5. Dieser IGBT mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCES) von 650 V ist in einem D2PAK7-Gehäuse erhältlich. Er ist auf eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(SAT)) von 1,54 V und einen Kollektorstrom (IC) von 70 A ausgelegt. Der AFGBG70T65SQDC von onsemi bietet ein optimales Betriebsverhalten mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten und ermöglicht hohe Effizienz in verschiedenen Applikationen.