Kleinsignal-MOSFETs für Automotive

Die Kleinsignal-MOSFETs für Automotive von Toshiba sind AEC-Q101-qualifizierte Semi-Power-MOSFETs mit kompaktem Gehäuse. Die Bauteile unterstützen eine breite Palette von Automotive-Applikationen für Batteriesysteme von 12 bis 48 V, einschließlich Powerline-Lastschalter, LED-Scheinwerfer und BMS-Zellenausgleichsschaltungen. Bei dem SOT-23F handelt es sich um ein von Toshiba entwickeltes Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten im Gegensatz zu dem bestehenden SOT-23-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten. Dies verbessert die Wärmeableitung durch eine größere Kontaktfläche zwischen dem Gehäuse und der Leiterplatte (PCB). Da die Qualität der Montage und die Zuverlässigkeit in rauen thermischen Umgebungen ein übliches Anliegen für Flat-Lead-Gehäuse ist, wurden die Anforderungen an die Temperaturwechselbeständigkeit für Automotive-Applikationen erfüllt. Darüber hinaus sind die Bauelemente mit dem Vorgängergehäuse SOT-23 kompatibel. Durch die Kombination von hochentwickelten Wafer-Verarbeitungs- und Gehäusetechniken bieten der SSM3K341R und der SSM3K361R im SOT-23F-Gehäuse einen branchenführenden RDS(ON) von 36 mΩ bzw. 65 mΩ (bei VGS=4,5 V). Der niedrige Einschaltwiderstand ermöglicht eine Verkleinerung der Applikationsgröße bei gleichzeitiger Reduzierung der Energieverluste. Darüber hinaus unterstützen beide Bauteile eine maximale Kanaltemperatur von +175 °C und können in Automotive-Applikationen mit anspruchsvollen Betriebsbedingungen eingesetzt werden.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9 094Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3 720Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8 118Auf Lager
3 000erwartet ab 24.04.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 23 981Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 96 700Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 3 149Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 5 751Auf Lager
3 000erwartet ab 24.04.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4 824Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
120 000Auf Bestellung
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
20 577Auf Bestellung
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel