30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETs

Vishay 30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETS sind TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit einer sehr niedrigen RDS-zu-Qg-Gütezahl (FOM). Die Bauteile sind mit einer Kühlungsfunktion auf der Oberseite auf die niedrigste RDS-Qoss-FOM abgestimmt, die einen zusätzlichen Platz für Wärmeübertragungen bietet. Die MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 30 772Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 10 175Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET 11 425Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel