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NVMJS3D0N06CTWG

Name: onsemi NVMJS3D0N06CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS3D0N06CTWG
Price: 1.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMJS3D0N06CTWG

Herst.- Nr.:

NVMJS3D0N06CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V SL LFPAK8 5X6

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMJS3D0N06CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.32 CHF	1.32 CHF
	0.883 CHF	8.83 CHF
	0.737 CHF	73.70 CHF
	0.708 CHF	354.00 CHF
	0.686 CHF	686.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.676 CHF	2 028.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	139.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	112.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NVMJS3D0N06C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns

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Datenblatt

NVMJS3D0N06CTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMJS3D0N06C Automotive-Leistungs-MOSFET

Der Onsemi NVMJS3D0N06C Automotive-Leistungs-MOSFET bietet hohe Leistungsfähigkeit in einem 5 mm x 6 mmLFPAK-Gehäuse. Der AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige NVMJS3D0N06C eignet sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs in -Fahrzeuganwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.