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LMG2652RFBR

Name: Texas Instruments LMG2652RFBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2652RFBR
Price: 9.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG2652RFBR

Herst.- Nr.:

LMG2652RFBR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG2652RFBR Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	9.23 CHF	9.23 CHF
	7.20 CHF	72.00 CHF
	6.70 CHF	167.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	6.70 CHF	13 400.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	GaN FETs
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-19
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	26 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	30 ns
Abfallzeit:	23 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	LMG2652EVM-101
Eingangsspannung – Max:	26 V
Eingangsspannung – Min:	10 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	55 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	45 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	6.1 A
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

LMG2652RFBR Datenblatt

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG2652 650 V 140 mΩ GaN-Leistungs-FET-Halbbrücke

Die LMG2652 650 V 140 mΩ GaN-Leistungs-FET-Halbbrücke von Texas Instruments vereinfacht das Design, reduziert die Anzahl der Komponenten und reduziert den Platzbedarf auf dem Board. Diese Vereinfachung wird durch die Integration von Halbbrücken-Leistungs-FETs, Gate-Treibern, Bootstrap-Diode und High-Side-Gate-Treiber-Pegelwandlern in einem 6 mm x 8 mm QFN-Gehäuse erreicht. Die Low-Side-Strommessemulation reduziert die Verlustleistung im Vergleich zum herkömmlichen Strommesswiderstand. Dies ermöglicht den Anschluss des Low-Side-Wärme-Pads an die Kühl-PCB-Betriebserdung.