FGHL75T65MQDTx Trench-IGBTs

Der onsemi FGHL75T65MQDTx Trench-IGBT ist eine IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit, die mit einer vollständigen Nennstromdiode bestückt ist. Die FGHL75T65MQDTx IGBTs werden bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C, einer Kollektor-zu Emitter-Spannung von 650 V und einem Kollektorstrom von 75 A betrieben. Diese IGBTs verfügen über einen positiven Temperaturkoeffizienten für einen einfachen Parallelbetrieb, eine hohe Strombelastbarkeit, eine weiche und optimierte Schaltung und eine strikte Parameterverteilung. Der FGHL75T65MQDT ist in einem TO247-3L-Gehäuse untergebracht und der FGHL75T65MQDTL4 IGBT ist in einem TO247-4L-Gehäuse untergebracht. Diese IGBTs eignen sich hervorragend für Applikationen in Solarwechselrichtern, USV, ESS, PFC und Wandlern.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
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432Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Datenblatt
103Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube