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RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 1.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7G04CBJFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7G04CBJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

RH7G04CBJFRATCB Datenblatt

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.61	CHF 1.61
	CHF 1.04	CHF 10.40
	CHF 0.696	CHF 69.60
	CHF 0.553	CHF 276.50
	CHF 0.509	CHF 509.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.484	CHF 1 452.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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