Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
Datenblatt
570 294Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
Datenblatt
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68 538Auf Lager
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: 3 000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Datenblatt
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86 624Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
Datenblatt
88 731Auf Lager
105 000erwartet ab 14.08.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
Datenblatt
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5 484Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
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19 347Auf Lager
39 000erwartet ab 19.06.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
Datenblatt
6 348Auf Lager
30 000erwartet ab 26.06.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
Datenblatt
1 517Auf Lager
39 000erwartet ab 26.06.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch
Datenblatt
20 000erwartet ab 28.08.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
Datenblatt
5 584erwartet ab 12.06.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel