600 V n-Kanal-MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-MOSFETs basieren auf der Super-Junction-Technologie (SJ), die über einen niedrigen RDS(on) verfügt und eine schnelle Freilaufdiode zur Steigerung des Wirkungsgrads enthält. Diese integrierten schnellen Freilaufdioden sorgen für eine schnelle Recoveryzeit und optimieren die Gesamtschaltleistung und die Zuverlässigkeit der Schaltung. Die 600-V-n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand von 193 mΩ und gewährleisten minimale Leistungsverluste. Diese MOSFETs sind eine ausgezeichnete und nahtlose Aufrüstung für bestehende Designs und in isolierten (TO-220F) und nicht-isolierten (TO-220AB) Gehäusen erhältlich. Die 600-V-n-Kanal-MOSFETs eignen sich hervorragend für Leistungsumwandlungs-Netzteile, AC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Motorantriebe und Hochspannungsschaltung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-220F 1 880Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12.3 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H) 1 941Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17.9 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Bulk