2000V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 0.6A to 3A. They are specifically designed to address high blocking voltage and high voltage packages.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
Datenblatt
246Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
Datenblatt
26Auf Lager
1 350erwartet ab 06.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Datenblatt
Vorlaufzeit 39 Wochen

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube