IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs sind die 4. Generation von Trench-IGBTs, die mit der XPT-Dünnwafer-Technologie ausgestattet sind. Diese IGBT-Transistoren mit extrem niedriger VSAT unterstützen Schaltfrequenzen bis zu 5 kHz und sind für niedrige Leitungsverluste optimiert. Die IXYxN120A IGBTs bieten Vorteile wie hohe Leistungsdichte, einen geringen Gate-Drive-Bedarf und eine Betriebstemperatur von -55 °C bis +175 °C. Diese Transistoren sind jeweils mit einer Spannung von 1.200 V und einem Strom von 55 A oder 85 A in TO-247- und TO-269HV-Gehäusen erhältlich. Die IXYxN120A IGBTs werden in Applikationen wie Wechselrichter, Motorantriebe, PFC-Schaltungen, Akkuladegeräte, Schweißgeräte, Lampenvorschaltgeräte und Einschaltstrom-Schutzschaltungen verwendet.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube