FZ2000R33HE4 und FZ1400R33HE4 3.300-V-IGBT-Module

Die 3.300-V-Einzelschalter-IGBT-Module FZ2000R33HE4 und FZ1400R33HE4 von Infineon Technologies bieten TRENCHSTOP™ IGBT4 und 4 Emitter-gesteuerte Dioden Bei den Bipolartransistoren mit isoliertem Gate handelt es sich um Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, die als elektronische Schalter verwendet werden, um einen hohen Wirkungsgrad und ein schnelles Schalten zu kombinieren. Das FZ2000R33HE4 ist ein Einzelschalter-Modul von 190 mm mit 2.000 A. Das FZ1400R33HE4 ist ein Einzelschalter-Modul mit 1.400 A 130 mm. Die Bauteile bieten eine hohe Kurzschlussfestigkeit und Stromdichte mit niedrigen Schaltverlusten. Zu den Applikationen gehören Hochleistungswandler, Mittelspannungswandler sowie Motor- und Traktionsantriebe.