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NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 7.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NDSH20120C-F155

Herst.- Nr.:

NDSH20120C-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Datenblatt:

NDSH20120C-F155 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	26 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.75 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	119 A
Ir - Sperrstrom:	2.06 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	214 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

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Datenblatt

NDSH20120C-F155 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

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