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NVTYS014N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS014N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS014N08HLTWG
Price: 1.36 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVTYS014N08HLTWG

Herst.- Nr.:

NVTYS014N08HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVTYS014N08HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	1.08 CHF	10.80 CHF
	0.842 CHF	84.20 CHF
	0.688 CHF	344.00 CHF
	0.603 CHF	603.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.365 CHF	1 095.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-33
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	15.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	54 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	7.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	54 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	NVTYS014N08HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.7 ns

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Datenblatt

NVTYS014N08HLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS014N08HL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVTYS014N08HL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 80 V 13,9 mΩ und 40 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVTYS014N08HL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen.